Czym jestp-kanałowymi MOSFET

?MOSFET Kanał P jesttypu tranzystorelektroniczne urządzenie , które działa jak przełącznik lub wzmacniacz dla prądu elektrycznego. MOSFET odnosi się do rodzaju tranzystora i materiałów, które nadają jej właściwości . Są bardziej wrażliwe i napięcia energooszczędne niż ich kuzyni , tranzystory Junction. Dlatego, że są dobrymi przełączniki , MOSFET skorzystało z technologii cyfrowych , w tym komputerów, telefonów komórkowych i wielu innych pokrewnych towarów konsumpcyjnych . Opis

MOSFET toelement elektroniczny mający trzy terminale , zwane źródło , bramka i dren . Fizycznie poszczególne tranzystory MOSFET są pakowane podobnie jak inne rodzaje tranzystorów , o standardowych stylów przypadku takim jak TO-3 lub TO -92 . Dyskretne tranzystory , takie jak te wynoszą od około jednej czwartej do 1 1/2 cala o wielkości . Sama sprawa stanowi większość wielkości urządzenia , chroniąc mały MOSFET wewnątrz przed brudem i uszkodzeniem i pozwalając , aby rozproszyć ciepło . Na chipie komputerowym , każdy MOSFET jest jednym z milionów mikroskopijnych urządzeń dzielących wspólny kawałek krzemu .
MOSFET

MOSFET to skrót od " półprzewodników z warstwą tlenku metalu tranzystor polowy . " Większość obecnych MOSFET użyciu krzemu , chociaż na początku przykładów miały składniki tlenków metali. W tranzystora polowego ,małe pole elektryczne otacza elektrodę bramki wpływa przewodzenia elektrycznego pomiędzy elektrodami źródła i drenu . Pozostaje to w kontraście do tranzystora złączowego , który wykorzystuje przepływ prądu w kanapce trzech warstw specjalnie traktowanego krzemu. Chociaż oba rodzaje tranzystorów działają jak przełączniki , pole - efekt w MOSFET działa szybciej niż tranzystora przyłączeniowej i zużywa mniej prądu .

P -kanałowy

Tranzystory MOSFET są w dwóch podstawowych typów: P -kanałowych i N- kanałowych . Oba rodzaje mają inną biegunowość napięcia, która jest podobna do różnicy polaryzacji między PNP i NPN przyłączeniowymi . Układ stosując MOSFET kanału P jest niższe niż napięcie drenu , że w źródle; sytuacja jest odwrotna w obwodzie MOSFET z kanałem typu N . W urządzeniu N -kanałowego , elektrony przepływają od źródła do drenażu , aw typu p , dziury , lub opłata kilka brakujących elektronów , przepływ od źródła do drenażu .
Używa

dużą prędkością przełączania i niskim poborze mocy MOSFET czyni je idealnymi komponenty do bramek logicznych , układów pamięci i innych aplikacji związanych z komputerami . Wielkie postępy w możliwości urządzeń high-tech od 1970 roku jest uzależniona od rosnącej miniaturyzacji tranzystorów MOSFET , pakowania więcej wyrafinowania do każdego chipa komputerowego . Oprócz osiągnięć w komputerach ,korzystanie z MOSFET poprawiła jakość i efektywność energetyczną zasilaczy elektronicznych i wzmacniaczy audio. Imperium